Email : sales@nbklsele.com
+86 574 86828566
English
الموصلات

موصل بطاقة SD دفع وسحب، ارتفاع 2.75 مم، مع دبوس CD KLS1-SD112

معلومات المنتج: موصل بطاقة SD، دفع وسحب، ارتفاع 2.75 مم، مزود بدبوس CD. المادة: الغلاف: بلاستيك حراري عالي الحرارة. جهة الاتصال: سبيكة نحاس. الغلاف: سبيكة نحاس، أطراف اللحام مطلية بالذهب، والجزء السفلي مطلي بالنيكل. الطلاء: منطقة التلامس: مطلية بالذهب على النيكل. طرف اللحام: 30 ميكرومتر، الحد الأدنى من القصدير مطلي على النيكل. الكهرباء: التيار المقدر: 0.5 أمبير. الجهد: 250 فولت تيار متردد. مقاومة التلامس: 40 مللي أوم. جهد تحمل العازل: 500 فولت تيار متردد. مقاومة العزل: 100 مللي أوم.

موصل بطاقة SD بحامل متوسط عكسي 1.75 مم، DIP مع دبوس CD KLS1-SD003

معلومات المنتج: موصل بطاقة SD، تركيب وسطي عكسي، 1.75 مم، DIP مع دبوس CD. المادة: الغلاف: LCP S475، UL94V-0. أسود. الهيكل: فولاذ مقاوم للصدأ SUS304. جهة الاتصال: سبيكة نحاس C5210. التشطيب: جهة الاتصال: مطلية بالذهب عند منطقة الاتصال. قصدير غير لامع، الحد الأدنى 100 ميكرون في منطقة ذيل اللحام. الحد الأدنى 50 ميكرون في منطقة اللحام. الهيكل: الحد الأدنى 30 ميكرون في منطقة اللحام. رقم القطعة: الوصف، عدد القطع/الكرتونة، الوزن الإجمالي (كجم)، الوزن الإجمالي (متر مكعب)، الكمية، وقت الطلب.

موصل بطاقة SD دفع وسحب، ارتفاع 2.8 مم، مع دبوس CD KLS1-SD002

معلومات المنتج موصل بطاقة SD، دفع وسحب، ارتفاع 2.8 مم، مع دبوس CD. المادة: الغلاف: LCP، UL94V-0. أسود. الطرف: C5191R-EH T=0.20، قوة تلامس/قوة شد، نيكل 40 ميكرون كحد أدنى، قصدير لحام 80 ميكرون. دبوس WP: C5191R-EH T=0.20، قوة تلامس/قوة شد، نيكل 40 ميكرون كحد أدنى، قصدير لحام 80 ميكرون. دبوس CD: C5191R-EH T=0.20، قوة تلامس/قوة شد، نيكل 40 ميكرون كحد أدنى، قصدير لحام 80 ميكرون. الغلاف: C2680-H، T=0.20، قوة تلامس/قوة شد، نيكل 40 ميكرون كحد أدنى. الكهرباء: تيار التلامس المُقدر: 0.5 أمبير. جهد تحمل العازل: تيار متردد 500 فولت جذر متوسط التربيع. مقاومة العزل...

موصل بطاقة SD، دفع دفع، ارتفاع 2.8 مم، مع دبوس قرص مضغوط KLS1-SD-001 / KLS1-SD-101

معلومات المنتج موصل بطاقة SD، دفع دفع، ارتفاع 2.8 مم، مع دبوس CD. المادة: عازل: بلاستيك حراري عالي الحرارة، UL94V-0. التلامس: سبائك نحاسية. مطلي بطبقة نيكل 50 ميكرون. منطقة تلامس انتقائية مطلية بالذهب، مطلية بطبقة قصدير 100 ميكرون فوق منطقة لحام النيكل. الغلاف: مطلي بطبقة نيكل 50 ميكرون. الكهرباء: الجهد الكهربي: 125 فولت، التيار المتردد/المستمر: 0.5 مللي أمبير، أقصى مدى للرطوبة المحيطة: 95% رطوبة نسبية، أقصى مقاومة للتلامس: 100 مللي أوم، أقصى مقاومة للعزل: 1000 مللي أوم...

موصل بطاقة 5 في 1، ارتفاع 4.3 مم KLS1-MUT51-001

معلومات المنتج موصل بطاقة 5 في 1، H4.3 مم مادة العازل: بلاستيك عالي الحرارة، UL94V-0، اللون: أسود الطرف: سبيكة نحاس، طلاء فلاش ذهبي انتقائي على منطقة التلامس، و50U" الحد الأدنى من النيكل المغطى بالكامل الغلاف: الفولاذ المقاوم للصدأ، 50u" النيكل المغطى بالكامل، فلاش ذهبي على لوحة اللحام مقاومة العزل الكهربائي: 1000Μ كحد أدنى. عند تيار مستمر 500 فولت تيار مستمر تحمل الجهد: 250 فولت تيار متردد لمدة دقيقة واحدة مقاومة التلامس: 100mΩ كحد أقصى. عند 10mA/20mV ...

موصل بطاقة Micro SD دفع وسحب، ارتفاع 1.5 مم KLS1-TF-011-H1.5-R

معلومات المنتج موصل بطاقة مايكرو إس دي، دفع وسحب، ارتفاع 1.5 مم. رقم القطعة. الوصف. PCS/CTN. GW(KG). CMB(m3). الكمية. وقت الطلب.

موصل بطاقة Micro SD 4.0، دفع دفع، ارتفاع 1.3 مم KLS1-SD4.0-003

معلومات المنتج: موصل بطاقة Micro SD 4.0، دفع دفع، ارتفاع 1.3 مم. المادة: عازل: بلاستيك حراري، مطلي بـ UL94V-0. جهات الاتصال: برونز فوسفوري. الغلاف: فولاذ مقاوم للصدأ. طلاء التلامس: الطبقة السفلية: نيكل 50-100 ميكرون. منطقة التلامس: ذهب، منطقة أطراف اللحام: قصدير 100-200 ميكرون. الكهرباء: جهد التشغيل: 10 فولت، التيار المقدر: 0.5 أمبير، الحد الأدنى لمقاومة التلامس: 100 مللي أوم، الحد الأقصى لمقاومة العزل: 1000 مللي أوم، جهد تحمل العازل: 500 فولت تيار متردد/دقيقة واحدة.

موصل بطاقة Micro SD 4.0 دفع دفع KLS1-SD4.0-004

معلومات المنتج: موصل بطاقة Micro SD 4.0، دفع، دفع. المادة: بلاستيك: LCP، بلاستيك حراري UL94V-0. أسود. جهة الاتصال: سبيكة نحاس. الغلاف: فولاذ مقاوم للصدأ. الطلاء: منطقة التلامس: Au 3u" فوق Ni 50u". منطقة طرف اللحام: قصدير مصقول 80u" كحد أدنى فوق Ni 50u". قابلية اللحام: طلاء فوق Ni 50" فوق الكل. رقم القطعة. الوصف: عدد القطع/الكرتونة (كجم)، الوزن الإجمالي (كجم)، الكمية (م3)، وقت الطلب.

موصل بطاقة Micro SD، دفع دفع، ارتفاع 1.28 مم، مع دبوس CD KLS1-SD113

معلومات المنتج موصل بطاقة ذاكرة Micro SD، ارتفاع 1.28 مم، مزود بدبوس CD. المادة: عازل: بلاستيك حراري عالي الحرارة LCP SZ6505، UL94V-0، أسود. الموصل: نحاس بيريلليون (7035-TM06، T=0.15 مم). مطلي بطبقة من النيكل بسمك 80 ميكرون كحد أدنى، مطلي بطبقة من الذهب بسمك ميكرون واحد كحد أدنى فوق النيكل في منطقة اللحام. الغلاف: SUS301-3/4H، T=0.10 مم. طرف اللحام مطلي بطبقة من الذهب بسمك ميكرون واحد كحد أدنى، مطلي بطبقة من النيكل بسمك 50 ميكرون كحد أدنى. الكهرباء: التيار المقدر: 0.5 أمبير تيار متردد/مستمر كحد أقصى. الجهد المقدر: 12 فولت تيار متردد/مستمر. نطاق الرطوبة المحيطة: 95% رطوبة نسبية.

موصل بطاقة Micro SD، دفع دفع، ارتفاع 1.68 مم، مع دبوس CD KLS1-SD114

معلومات المنتج: موصل بطاقة ذاكرة Micro SD، دفع دفع، ارتفاع 1.68 مم، مع دبوس CD. المادة: عازل: بلاستيك عالي الحرارة، UL94V-0، أسود. الطرف: سبيكة نحاس، مطلي بالذهب على منطقة التلامس وطرف اللحام. الغلاف: فولاذ مقاوم للصدأ، مطلي بالنيكل بالكامل، وطرف اللحام مطلي بالذهب. الخصائص الكهربائية: مقاومة العزل: 1000 ميجا أوم كحد أدنى/500 فولت تيار مستمر. جهد التحمل: 250 فولت تيار متردد/دقيقة. مقاومة التلامس: 100 ميجا أوم كحد أقصى. تيار متردد: 20 مللي أمبير/20 مللي فولت كحد أقصى. الجهد: 0.5 أمبير.

موصل بطاقة Micro SD، دفع دفع، ارتفاع 1.85 مم، مفتوح عادةً KLS1-SD107

معلومات المنتج: موصل بطاقة ذاكرة Micro SD، دفع دفع، ارتفاع 1.85 مم، مفتوح عادةً. الطاقة: تيار التلامس: 0.5 أمبير. أقصى مقاومة تلامس: 100 مللي أوم. أقصى مقاومة للعزل: 250 فولت تيار مستمر أو 300 فولت تيار متردد لمدة دقيقة واحدة على الأقل. متانة التوصيل: 10000 دورة. أدنى قوة إدخال: 2.0 كجم قوة. أقصى قوة استخراج: 0.5 كجم قوة. درجة حرارة التشغيل: من -25 درجة مئوية إلى +85 درجة مئوية. رقم القطعة. الوصف. عدد القطع/الكرتونة: جيجا وات (كجم)، سم مكعب (متر مكعب). الكمية. وقت الطلب.

موصل بطاقة Micro SD دفع وسحب، ارتفاع 1.5 مم، مع دبوس CD KLS1-SD104

معلومات المنتج: موصل بطاقة ذاكرة مايكرو إس دي، دفع وسحب، ارتفاع 1.5 مم، مزود بدبوس قرص مضغوط. ملاحظات: مواصفات التوصيل المشترك. لجميع أطراف اللحام ووسادات اللحام، الحد الأقصى 0.1 مم. الخصائص الكهربائية: التيار المُقدر: 0.5 أمبير. الحد الأقصى للجهد: 100 فولت تيار مستمر. الحد الأقصى لمقاومة التلامس عند مستوى منخفض: 100 مللي أوم. الحد الأقصى لجهد تحمل العازل: 500 فولت تيار متردد. الحد الأدنى لمدة دقيقة واحدة. مقاومة العزل: (ابتدائي) 1000 مللي أوم. الحد الأدنى (نهائي) 100 مللي أوم. درجة حرارة التشغيل: من -45 درجة مئوية إلى +105 درجة مئوية. المتانة...

موصل بطاقة SIM مزدوج، دفع وسحب، ارتفاع 3.0 مم KLS1-SIM2-002A

معلومات المنتج: موصل بطاقة SIM مزدوج، دفع وسحب، ارتفاع 3.0 مم، المادة: الغلاف: بلاستيك عالي الحرارة، UL94V-0. أسود. الطرف: سبيكة نحاس. الغلاف: فولاذ مقاوم للصدأ. التشطيب: الطرف: مطلي بالذهب عند منطقة التلامس، مطلي بقصدير غير لامع على أطراف اللحام، مطلي بالنيكل. الغلاف: مطلي بالذهب على أطراف اللحام، مطلي بالنيكل. الكهرباء: مقاومة التلامس: 50 مللي أوم. أقصى جهد تحمل: 350 فولت تيار متردد، متوسط التربيع لمدة دقيقة واحدة. مقاومة العزل: 1000 مللي أوم.

موصل بطاقة Micro SIM وبطاقة SD 2 في 1، 8 نقاط، ارتفاع 2.26 مم KLS1-SIM-109

معلومات المنتج: موصل بطاقة SIM وبطاقة SD صغير 2 في 1، 8 نقاط، ارتفاع 2.26 مم. المادة: عازل: بلاستيك حراري عالي الحرارة، UL94V-0. أسود. الطرف: سبيكة نحاس، مطلي بالذهب في منطقة التلامس 1 وحدة، منطقة اللحام مطلية بالذهب 1 وحدة. الغلاف العلوي: فولاذ مقاوم للصدأ، نيكل 50 وحدة. الغلاف السفلي: SUS304 R-1/2H T=0.10 مم، نيكل 50 وحدة. الخصائص الكهربائية: قوة الإدخال 1 كجم قوة، قوة السحب القصوى 0.1 كجم قوة. المتانة: 5000 دورة SIM، مقاومة التلامس: قبل الاختبار 8...

موصل بطاقة SIM مزدوج، دفع وسحب، ارتفاع 3.0 مم KLS1-SIM-033

معلومات المنتج: موصل بطاقة SIM مزدوج، دفع وسحب، ارتفاع 3.0 مم، المادة: الغلاف: بلاستيك مقاوم للحرارة العالية، UL94V-0. أسود. الطرف: سبيكة نحاس. جميع الأطراف مطلية بالذهب، وطبقة سفلية من النيكل بسمك 50 ميكرون على كامل الغطاء. الهيكل: فولاذ مقاوم للصدأ. مطلي بالنيكل بسمك 50 ميكرون على كامل الغطاء، وطبقة سفلية من الذهب على لوحة اللحام. الكهرباء: التيار المقدر: 0.5 أمبير. الجهد: 5.0 فولت جذر متوسط مربع. مقاومة العزل: 1000 ميجا أوم كحد أدنى عند 500 فولت تيار مستمر. جهد التحمل: 250 فولت تيار متردد جذر متوسط مربع لمدة 1...

بطاقة SIM 2 في 1 + موصل Micro SD، دفع وسحب، ارتفاع 2.7 مم KLS1-SIM-024

معلومات المنتج: موصل بطاقة SIM + بطاقة Micro SD ثنائي الاستخدام، دفع وسحب، ارتفاع 2.7 مم. المواصفات الكهربائية: الجهد: 100 فولت تيار متردد، التيار: 0.5 أمبير، أقصى مقاومة تلامس: 100 مللي أوم، أقصى جهد تحمل للعزل: 500 فولت تيار متردد، مقاومة العزل: 1000 مللي أوم، الحد الأدنى للخصائص الميكانيكية: قوة سحب البطاقة: 13.8 نيوتن، أقصى قوة دفع: 19.6 نيوتن، أقصى متانة: 10000 دورة. درجة حرارة التشغيل: من -45 درجة مئوية إلى +85 درجة مئوية. رقم القطعة. الوصف. عدد القطع/الكرتونة (كجم)، الوزن الإجمالي (متر مكعب)، الكمية المطلوبة، الوقت...

موصل بطاقة SIM نانو؛ دفع وسحب، 6 دبابيس، ارتفاع 1.40 مم KLS1-SIM-113

معلومات المنتج موصل بطاقة SIM نانو؛ دفع وسحب، 6 دبابيس، ارتفاع 1.40 مم، المادة: العازل: LCP، UL94V-0. جهة الاتصال: C5210. مطلي بطبقة نيكل 50 ميكرون، جهة الاتصال: Au 1u. الغلاف: SUS، مطلي بطبقة نيكل 50 ميكرون، جهة الاتصال: Au 1u. الكهرباء: التيار المقدر: 0.5 أمبير، أقصى جهد: 30 فولت، مقاومة التلامس: 30 مللي أوم، أقصى مقاومة للعزل: 1000 مللي أوم، أدنى درجة حرارة تشغيل: -45 درجة مئوية ~ +85 درجة مئوية. رقم القطعة. الوصف. عدد القطع/الكرتونة: GW (كجم)، CMB (م3)، كمية الطلب...

موصل بطاقة SIM نانو، ادفع ادفع، 6 دبابيس، ارتفاع 1.37 مم، مع دبوس CD KLS1-SIM-066

معلومات المنتج موصل بطاقة SIM نانو، ادفع ادفع، 6 دبابيس، ارتفاع 1.37 مم، مع دبوس CD. المادة: العازل: بلاستيك حراري عالي الحرارة، UL94V-0. الموصل: سبيكة نحاس، مطلي بطبقة نيكل 50u" (الإجمالي)، PAD Au 1u. الغلاف: SUS. جميع النيكل 30u/الدقيقة. الكهرباء: التيار المقدر: 0.5 أمبير. الجهد: 5 فولت تيار متردد/مستمر. مقاومة التلامس: 100 مللي أوم. أقصى مقاومة للعزل: 1000 مللي أوم. الحد الأدنى/500 فولت تيار مستمر. درجة حرارة التشغيل: -45 درجة مئوية ~ +85 درجة مئوية. رقم القطعة. الوصف. PCS/CTN G...

موصل بطاقة SIM نانو، ادفع ادفع، 6 دبابيس، ارتفاع 1.25 مم، مع دبوس CD KLS1-SIM-103

معلومات المنتج موصل بطاقة SIM نانو، ادفع ادفع، 6 دبابيس، ارتفاع 1.25 مم، مع دبوس CD. المادة: موصل: سبيكة نحاس، نحاس أصفر فوق نيكل. الغلاف: زجاج مملوء بـ LCP. الغلاف: فولاذ مقاوم للصدأ، نحاس أصفر فوق نيكل، أرضي. الإطار: سبيكة نحاس، نحاس أصفر فوق نيكل. مفتاح الكشف: سبيكة نحاس، نحاس أصفر فوق نيكل. الشريحة: زجاج مملوء بـ Pa10t. الزنبرك: فولاذ مقاوم للصدأ. الخطاف: فولاذ مقاوم للصدأ. الكهرباء: التيار المقدر: 0.5 أمبير. أقصى جهد مقدر: 30 فولت تيار متردد. مقاومة التلامس: 100 مللي أوم. أقصى مقاومة للعزل: 1000 مللي أوم. أدنى جهد/500 فولت تيار مستمر. عازل...

موصل بطاقة SIM نانو، نوع الدرج، 6 دبابيس، ارتفاع 1.55 مم، مع دبوس CD KLS1-SIM-104

معلومات المنتج: موصل بطاقة SIM نانو، نوع العلبة، 6 سنون، ارتفاع 1.55 مم، مع دبوس CD. المواصفات الكهربائية: التيار المقدر: 1 أمبير/سنون. الحد الأقصى للجهد: 30 فولت تيار مستمر. الحد الأقصى لمقاومة التلامس المنخفض: 30 مللي أوم. الحد الأقصى لجهد تحمل العزل الكهربائي الابتدائي: 500 فولت تيار متردد لمدة دقيقة واحدة. مقاومة العزل: 100 مللي أوم. الحد الأدنى لجهد 500 فولت تيار مستمر لمدة دقيقة واحدة. المتانة: 1500 دورة. درجة حرارة التشغيل: من -45 درجة مئوية إلى +85 درجة مئوية. رقم القطعة. الوصف. عدد القطع/الكرتونة (كجم) (متر مكعب) (كمية الطلب). الوقت أو...

موصل بطاقة SIM نانو، نوع الدرج، 6 دبابيس، ارتفاع 1.5 مم، مع دبوس CD KLS1-SIM-102

معلومات المنتج: موصل بطاقة SIM نانو، نوع العلبة، 6 سنون، ارتفاع 1.5 مم، مع دبوس CD. المواصفات الكهربائية: التيار المقدر: 1 أمبير/سنون. الحد الأقصى للجهد: 30 فولت تيار مستمر. الحد الأقصى لمقاومة التلامس المنخفض: 30 مللي أوم. الحد الأقصى لجهد تحمل العزل الكهربائي الابتدائي: 500 فولت تيار متردد لمدة دقيقة واحدة. مقاومة العزل: 100 مللي أوم. الحد الأدنى لجهد 500 فولت تيار مستمر لمدة دقيقة واحدة. المتانة: 1000 دورة. درجة حرارة التشغيل: من -45 درجة مئوية إلى +85 درجة مئوية. رقم القطعة. الوصف. عدد القطع/الكرتونة (كجم) (متر مكعب) (كمية الطلب). وقت الطلب.

موصل بطاقة SIM نانو؛ نوع صينية التركيب MID، 6 دبابيس، ارتفاع 1.5 مم، مع دبوس CD KLS1-SIM-100

معلومات المنتج: موصل بطاقة SIM نانو؛ حامل تثبيت متوسط، 6 سنون، ارتفاع 1.5 مم، مع دبوس CD. الخامة: بلاستيك: LCP، UL94V-0. أسود. جهة الاتصال: C5210. الهيكل: SUS304. الجهة: LCP، UL94V-0. أسود. الطلاء: جهة الاتصال: منطقة الاتصال: طلاء أرضي/أرضي؛ منطقة ذيل اللحام: 80 ميكرون. الهيكل: مطلي بطبقة من النيكل بسمك 30 ميكرون. قابل للحام بطبقة من النيكل بسمك 30 ميكرون. يجب أن يكون مستوى جهة الاتصال والذيل 0.10 مم. رقم القطعة. الوصف. عدد القطع/الكرتونة (كجم) الوزن الإجمالي (كجم) الكمية المطلوبة. وقت الطلب.

موصل بطاقة SIM نانو، 6 دبابيس، ارتفاع 1.4 مم، نوع مفصلي، مع دبوس CD KLS1-SIM-101

معلومات المنتج: موصل بطاقة SIM نانو، 6 سنون، ارتفاع 1.4 مم، مفصلي، مع دبوس CD. المادة: الغلاف: بلاستيك حراري عالي الحرارة، UL94V-0. أسود. الطرف: سبيكة نحاس، مطلي بالذهب على منطقة التلامس وأطراف اللحام، مطلي بالنيكل. الهيكل: فولاذ مقاوم للصدأ، مطلي بالذهب على أطراف اللحام، مطلي بالنيكل. الكهرباء: التيار المقدر: 0.5 أمبير، الجهد المقدر الأقصى: 30 فولت تيار متردد، مقاومة التلامس: 100 مللي أوم، مقاومة العزل القصوى: 1000 مللي أوم، الحد الأدنى/500 فولت...

موصل بطاقة SIM نانو، 6 دبابيس، ارتفاع 1.4 مم، نوع مفصلي، مع دبوس CD KLS1-SIM-077A

معلومات المنتج موصل بطاقة SIM نانو، 6 دبابيس، ارتفاع 1.4 مم، مفصلي، مع دبوس CD. المادة: عازل: بلاستيك حراري عالي الحرارة، UL94V-0. جهة الاتصال: سبيكة نحاس، مطلية بطبقة نيكل 50 ميكرون. جهة الاتصال الكلية: Au 1U. الغلاف: SUS. جميع النيكل 30 ميكرون. الحد الأدنى للكهرباء: التيار المقدر: 0.5 أمبير، الحد الأقصى للجهد: 125 فولت، تيار متردد/مستمر. نطاق الرطوبة المحيطة: 95% رطوبة نسبية. أقصى مقاومة للتلامس: 80 مللي أوم. أقصى مقاومة للعزل: 100 مللي أوم. الحد الأدنى/100 فولت تيار مستمر. دورات التزاوج: 5000 إدخال. التشغيل...
<< < السابق27282930313233التالي >>> الصفحة 30 / 55
اضغط على Enter للبحث أو ESC للإغلاق