Email : sales@nbklsele.com
+86 574 86828566
English
موصل بطاقة SIM نانو، 6 دبابيس، ارتفاع 1.4 مم، نوع مفصلي، مع دبوس CD KLS1-SIM-101
موصل بطاقة SIM نانو، 6 سنون، ارتفاع 1.4 مم، نوع مفصلي، مع دبوس CD KLS1-SIM-101 صورة مميزة
  • موصل بطاقة SIM نانو، 6 دبابيس، ارتفاع 1.4 مم، نوع مفصلي، مع دبوس CD KLS1-SIM-101

موصل بطاقة SIM نانو، 6 دبابيس، ارتفاع 1.4 مم، نوع مفصلي، مع دبوس CD KLS1-SIM-101

وصف مختصر:


تنزيل بصيغة PDF

تفاصيل المنتج

علامات المنتج

صور المنتج

موصل بطاقة SIM نانو، 6 دبابيس، ارتفاع 1.4 مم، نوع مفصلي، مع دبوس CD موصل بطاقة SIM نانو، 6 دبابيس، ارتفاع 1.4 مم، نوع مفصلي، مع دبوس CD

معلومات المنتج

موصل بطاقة SIM نانو، 6 دبابيس، ارتفاع 1.4 مم، نوع مفصلي، مع دبوس CD

مادة:
الإسكان: البلاستيك الحراري عالي الحرارة، UL94V-0. أسود.
الطرفية: سبائك النحاس، مطلية بالذهب على منطقة التلامس وذيول اللحام، مطلية بالنيكل على كل شيء.
الغلاف: الفولاذ المقاوم للصدأ، مطلي بالذهب على ذيول اللحام، مطلي بالنيكل على كل شيء.
كهربائي:
التيار المقدر: 0.5 أمبير كحد أقصى
الجهد المقدر: 30 فولت تيار متردد
مقاومة التلامس: 100mΩ كحد أقصى.
مقاومة العزل: 1000MΩ كحد أدنى/500 فولت تيار مستمر
جهد تحمل العزل: 500 فولت تيار متردد/دقيقة.
المتانة: 5000 دورة.
درجة حرارة التشغيل: -45 درجة مئوية ~ +85 درجة مئوية

 

مادة:
الإسكان: البلاستيك الحراري عالي الحرارة، UL94V-0. أسود.
الطرفية: سبائك النحاس، مطلية بالذهب على منطقة التلامس وذيول اللحام، مطلية بالنيكل على كل شيء.
الغلاف: الفولاذ المقاوم للصدأ، مطلي بالذهب على ذيول اللحام، مطلي بالنيكل على كل شيء.

كهربائي:
التيار المقدر: 0.5 أمبير كحد أقصى
الجهد المقدر: 30 فولت تيار متردد
مقاومة التلامس: 100mΩ كحد أقصى.
مقاومة العزل: 1000MΩ كحد أدنى/500 فولت تيار مستمر
جهد تحمل العزل: 500 فولت تيار متردد/دقيقة.
المتانة: 5000 دورة.
درجة حرارة التشغيل: -45 درجة مئوية ~ +85 درجة مئوية
  • سابق:
  • التالي:
    • اكتب رسالتك هنا وأرسلها لنا

    المنتجات ذات الصلة

    اضغط على Enter للبحث أو ESC للإغلاق